日經亞洲評論12日引述未具名消息人士報導，長江存儲計劃在2021下半年，將存儲器芯片的月產量倍增至10萬片硅晶圓，約占全球產出7%。相較之下，全球最大NAND 型快閃存儲器制造商三星的月產出為48萬片硅晶圓，美國最大存儲器廠商美光（Micron Technology, Inc.）則月產18萬片硅晶圓。

除了擴產現有芯片，長江存儲也打算加快科技發展進程，近期，有消息人士表示，長江存儲計劃最早將于2021年年中試產第一批192層3D NAND閃存芯片。此外，計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高一倍，至10萬片晶圓。

當然，消息補充稱，由于192層工藝的復雜性，需要時間確保量產芯片質量，這一計劃有可能會被推遲到今年下半年。

對于上述消息，1月13日長江存儲發出《聲明》稱“均為不實言論” 。長江存儲強調，關于公司下一步建設計劃具體情況請以公司官方渠道為準。