據IMS Research最新調查報告，預計2012年全球分立功率半導體市場將同比增長3.7%，產值達134億美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升，同時，細分市場數據顯示，對于不同的產品以及應用市場可說是冰火兩重天。

 

IMS Research預計，2012年增長最快的分立器件和模塊產品仍為IGBT。2011年，IGBT銷售額首次超過10億美元，年內大部分時間都處于供不應求的狀態。這種境況一直到歐債危機及中國政府暫停了相應的能源補貼之后才有所減緩。2012年，IGBT增長的動力來自于工業電機驅動器和電源模塊，以及混合動力汽車應用。預計雖然增長會放緩，但是整體分立IGBT市場仍將取得19%的增幅。

 

如IGBT般持續地增長是少見的，分立功率半導體市場的整體市場前景并不樂觀。2011年，功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的營收都有輕微跌幅。計算領域和消費電子領域是商用功率MOSFET和整流器市場的主要驅動力，而這兩個領域自2011年中以來一直下滑。預計，MOSFET和整流器在整體分立功率半導體市場所占的份額總和將由2011年的75%下滑至2012年的74%以下，到2016年將進一步下滑至僅72%。2012年，不僅是對筆記本電腦、液晶電視、DVD播放器/錄音機和其它消費電子的出貨量將持平甚至下跌；同時，由于用戶對低功耗的追求，每臺設備中的功率半導體量也將有所縮減。今年在西方國家由于模擬向數字的遷移幾近完成，由此導致的液晶電視銷售激增的情況也接近尾聲。

 

2012年，計算及辦公設備領域占整體功率MOSFET的份額將為37%。今年，以下幾個因素將導致MOSFET市場下滑：全球經濟放緩，2011年泰國十月的洪災影響了2012年前期的筆記本電腦生產，微軟Windows 8發布前期的銷售放緩，以及因平板電腦崛起蠶食了筆記本電腦的市場份額（相比于筆記本電腦，平板設備搭載的功率MOSFET器件更少）。計算領域MOSFET在2012年及之后將有三個主要的影響。最顯著的變化在于微處理器技術方面，由于Intel最近發布的Ivy Bridge微架構將比此前的型號節省高達50%的功耗，這也表明Ivy Bridge母板將比此前少用高達50%的功率MOSFET。其次，提高功率效率的需求正推動電源適配器的設計趨向于同步整流技術，這將棄用整流二極管轉而采用MOSFET。最后，服務器市場將因“云計算”發生改變，未來預計將促進大容量服務器的銷售，降低稍小型服務器企業的銷售。

 

2012年，分立功率半導體市場增長最快的是汽車和工業應用領域，包括可再生能源、通訊、醫療、照明和交通等。蜂窩手持設備和基礎設施，消費電子以及計算和辦公設備領域的增長幅度將較平均水平更低。